FMUSER Original New MRF1535NT1 RF Power Transistor Power MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Matangazo ya One-Stop Supplier

FMUSER Original New MRF1535NT1 RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Maelezo MRF1535NT1 imeundwa kwa matumizi makubwa ya biashara na viwanda na masafa ya 520 MHz. Faida kubwa na utendaji wa njia pana ya vifaa hivi huwafanya kuwa bora kwa ishara kubwa, matumizi ya chanzo cha kawaida katika vifaa vya 12.5 volt vya vifaa vya runinga vya rununu. Vipengele ● Utendaji uliotajwa @ 520 MHz, Volts 12.5 ● Nguvu ya Pato: Watts 35 ● Uwezo wa kupata nguvu: 13.5 dB ● Ufanisi: 55% ● Uwezo wa Kushughulikia 20: 1 VSWR, @ 15.6 Vdc, 520 MHz, 2 dB Overdrive ● Utulivu Bora wa Mafuta ● Inaonyeshwa na Vigezo vya Impedance ya Mia ya Sauti Kubwa-Ishara ● Broadband – Nguvu Kamili Kando ya Bendi: 135-175 MHz 400-470 MHz 450-520 MHz ● 200

undani

uliopita:MRFX1K80H: 1800 W CW zaidi ya 1.8-400 MHz, 65 V Wideband RF Power LDMOS Transistor

next:FMUSER Asili Mpya ya MRF13750H RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

Bei (USD)	Uchina (PCS)	Meli (USD)	Jumla (USD)	meli Method	Malipo
56	1	0	56	airmail meli
				airmail meli

FMUSER Original Mpya MRF1535NT1 RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

Maelezo
MRF1535NT1 imeundwa kwa matumizi ya njia pana ya kibiashara na viwanda na masafa ya 520 MHz. Faida kubwa na utendaji wa njia pana ya vifaa hivi hufanya wao ni bora kwa ishara kubwa, matumizi ya chanzo cha kawaida katika kifaa cha volt 12.5 Vifaa vya FM.

Vipengele

● Utendaji uliowekwa @ 520 MHz, Volts 12.5
● Nguvu ya Pato: Watts 35
● Faida ya Nguvu: 13.5 dB
● Ufanisi: 55%
● Uwezo wa Kushughulikia 20: 1 VSWR, @ 15.6 Vdc, 520 MHz, 2 dB Overdrive
● Utulivu Bora wa Mafuta
● Inaonyeshwa na Vigezo vya Impedans ya Ishara Kubwa-Ishara
● Broadband – Nguvu Kamili Kando ya Bendi:
135-175 MHz
400-470 MHz
450-520 MHz
● Kifurushi cha Plastiki cha 200 ° C
● N Suffix Inaonyesha Kukomeshwa kwa bure kwa Kiongozi. Utiifu wa RoHS.

● Katika Tape na Reel. Kiambishi cha T1 = Vitengo 500 kwa mm 44, Reel ya inchi 13.