FMUSER Original New SD2931-11 RF Power Transistor Power Power Gain 20V MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supporter

FMUSER Original New SD2931-11 RF Power Transistor High Power Gain 20V MOSFET Transistor Maelezo: SD2931-11 ni dhahabu metallized N-channel MOS shamba-athari RF nguvu transistor. Kuwa sawa na umeme kwa kiwango cha kawaida cha SD2931 MOSFET, imekusudiwa kutumiwa katika matumizi ya ishara kubwa ya 50 V dc hadi 230 MHz. SD2931-11 inaendana na mitambo kwa SD2931 lakini inatoa kwa kuongeza uwezo bora wa joto (25% ya chini ya upinzani wa mafuta), inayowakilisha transistors bora za darasa kwa matumizi ya ISM, ambapo kuegemea na ubabe ni mambo muhimu. Makala: * Uchimbaji madini dhahabu * Utulivu bora wa joto * Chanzo cha kawaida

undani

uliopita:FMUSER Original New BlF177 RF Power Transistor Nguvu Ya Juu Ipata 50V MOSFET Transistor

next:FMUSER Original New MRFE6VP5600H RF Power Transistor Nguvu ya MOSFET Kwa Transmitter ya 600w

Bei (USD)	Uchina (PCS)	Meli (USD)	Jumla (USD)	meli Method	Malipo
108	1	35	143	DHL
				DHL

FMUSER Original New SD2931-11 RF Power Transistor Nguvu Ya Juu Ipata 20V MOSFET Transistor

Maelezo:
SD2931-11 ni njia ya dhahabu yenye metali N MOS-athari RF transistor nguvu. Kuwa umeme sawa na SD2931 ya kawaida MOSFET, imekusudiwa kutumiwa katika 50 V DC kubwa matumizi ya ishara hadi 230 MHz. SD2931-11 ni mitambo inayolingana na SD2931 lakini inatoa kwa kuongeza bora mafuta uwezo (25% upinzani mdogo wa mafuta), anayewakilisha transistors bora-ya-darasa-ISM matumizi, ambapo kuegemea na ruggedness iko mambo muhimu.

vipengele:
* Dhahabu madini
* Excellent mafuta utulivu
* Usanidi wa chanzo cha kawaida
* PUTI = 150 W min. na faida ya 14 dB @ 175MHz
* Ufungaji ulioimarishwa kwa matibabu ya chini
* joto la makutano
* GFS na aina ya VGS iliyowekwa alama kwenye kitengo

Uainishaji:

* Mfululizo: SD2931
* Jamii ya Bidhaa: RF MOSFET Transistors
* Polarity ya Transistor: N-Channel
* Teknolojia: Si
* Id - Drain inayoendelea sasa: 20 A
* Vds - Droo ya kuvunjika kwa Chanzo-chanzo: 125 V
* Faida 15 dB
* Nguvu ya Pato: 150 W
* Kiwango cha chini cha Kufanya kazi: - 65 C
* Kiwango cha juu cha Kufanya kazi: + 200 C
* Sinema ya Kuinua: Screw Mount
* Ufungaji: Wingi
* Usanidi: Chanzo cha Dual Moja
* Urefu: 7.11 mm (Max)
* Urefu: 24.89 mm (Max)
* Utaratibu wa Kufanya kazi: 230 MHz
* Upana: 12.83 mm (Max)
* Hali ya Channel: Kuimarisha
* Pd - Uondoaji wa Nguvu: 389 W
* Vgs - Voltage-Source Voltage: 20 V

Bei (USD)	Uchina (PCS)	Meli (USD)	Jumla (USD)	meli Method	Malipo
108	1	35	143	DHL
				DHL

uliopita:FMUSER Original New BlF177 RF Power Transistor Nguvu Ya Juu Ipata 50V MOSFET Transistor

next:FMUSER Original New MRFE6VP5600H RF Power Transistor Nguvu ya MOSFET Kwa Transmitter ya 600w

Acha ujumbe

Orodha ujumbe

Maoni Loading ...

bidhaa Jamii

bidhaa Tags

Fmuser Sites

undani

Acha ujumbe

Orodha ujumbe