Msambazaji wa FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF M-NF-MOS shamba-athari Broadband RF Power Field-Athari Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Matangazo ya One Stop Stop

FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs N-channel MOS shamba-athari Broadband RF Power Field-Athari Transistor Maelezo SD2941-10 ni dhahabu yenye metali N-channel MOS shamba-athari RF nguvu transistor, iliyokusudiwa kutumiwa katika 28 V hadi 50 V dc maombi makubwa ya ishara hadi 230 MHz. Inatoa 25% ya chini ya RDS (juu) kuliko kiwango cha tasnia, na 20% ya juu PSAT kuliko kifaa cha ST cha SD2931-10. SD2941-10 iko kwenye kifurushi cha chini cha mafuta cha M174 kisicho na msingi, ikitoa 25% ya upinzani wa chini wa mafuta kuliko kiwango cha tasnia, na hivyo kuipatia transistor ya "bora-darasa" kwa matumizi ya ISM, ambapo kuegemea na ujambazi ni jambo muhimu . Maalum

undani

uliopita:FMUSER Original MRF151 To-59 High-Frequency Tube 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET RF Power Field-Athari ya Transistor.

next:FMUSER MRFE6VP5150N RF Power LDMOS Transistors Kubwa kwa Juu N - Ukuzaji wa Channel - Njia ya MOSFETs ya baadaye ya MOSFETs

Bei (USD)	Uchina (PCS)	Meli (USD)	Jumla (USD)	meli Method	Malipo
79	1	0	79	Airmail
				Airmail

FMUSER Asili SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs N-kituo Athari ya uwanja wa MOS Broadband Athari ya Nguvu ya RF Transistor

Maelezo
SD2941-10 ni kituo cha dhahabu chenye N MOS shamba athari athari RF transistor, iliyoundwa kwa tumia katika 28 V hadi 50 V matumizi ya ishara kubwa hadi 230 MHz. Inatoa asilimia 25 ya chini ya RDS (juu) kuliko kiwango cha tasnia, na 20% ya juu kuliko PSAT Kifaa cha ST's SD2931-10. SD2941-10 ni Makao ya chini ya mafuta M174 isiyo ya miguu paket, kutoa 25% upinzani wa chini wa mafuta kuliko kiwango cha tasnia, na hivyo kuipatia "darasa bora" la transistor kwa programu za ISM, ambapo kuegemea na ruggedness ni muhimu sababu.

Specifications

● Jamii ya Bidhaa: RF MOSFET Transistors
● Polarity ya Transistor: N-Channel
● Kitambulisho kinachoendelea cha sasa: 20 A
● Vds - Droo ya kuvunjika kwa chanzo-chanzo: 130 V
● Pata: 15.8 dB
● Nguvu ya Pato: 175 W
● Kiwango cha chini cha Kufanya kazi: - 65 C
● Kiwango cha juu cha Kufanya kazi: + 150 C
● Mtindo wa Kuinua: SMD / SMT
● Kifurushi / Kesi: M174
● Ufungaji: Wingi
● Usanidi: Moja
● Urefu: 7.11 mm
● Length: 24.89 mm
● Utaratibu wa kufanya kazi: 230 MHz
● Mfululizo: SD2941
● Aina: RF Power MOSFET
● Width: 12.83 mm
● Maadili ya Mbele - Min: 6 S
● Njia ya Channel: Uimarishaji
● Pd - Uondoaji wa Nguvu: 389 W
● Aina ya Bidhaa: RF MOSFET Transistors
● Kiwanda Ufungashaji wa Kiwanda: 25
● Jamii ndogo: MOSFETs
● Vgs - lango-Chanzo cha Voltage: 20 V

Vipengele
● Metallization ya dhahabu
● Excellent mafuta utulivu
● Usanidi wa chanzo cha kawaida
● NJIA = 175 W min. na faida 15 dB @ 175
MHz, 50 V
● NJIA = 135 W aina. na faida ya 14 dB @ 123 MHz,
28 V
● Asili ya chini (juu)
● Ufungaji ulioimarishwa kwa matibabu ya chini
● joto la makutano
● Kwa kufuata 2002/95 / EC1 European
agizo

Bei (USD)	Uchina (PCS)	Meli (USD)	Jumla (USD)	meli Method	Malipo
79	1	0	79	Airmail
				Airmail

uliopita:FMUSER Original MRF151 To-59 High-Frequency Tube 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET RF Power Field-Athari ya Transistor.

next:FMUSER MRFE6VP5150N RF Power LDMOS Transistors Kubwa kwa Juu N - Ukuzaji wa Channel - Njia ya MOSFETs ya baadaye ya MOSFETs

Acha ujumbe

Orodha ujumbe

Maoni Loading ...

bidhaa Jamii

bidhaa Tags

Fmuser Sites

undani

Acha ujumbe

Orodha ujumbe