FMUSER Original New MRF171A RF Power Transistor Power MOSFET-RF Transistor-FMUSER FM / TV Matangazo ya One-Stop Supplier

FMUSER Original New MRF171A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Maelezo Iliyoundwa kimsingi kwa pato kubwa la ishara-kubwa na hatua za dereva kutoka 30-200 MHz. Vipengele ● Njia ya Kuimarisha Kituo cha MOSFET ● Utulivu Bora wa Mafuta Unaofaa kwa Cass A Operesheni ● Utendaji uliohakikishiwa kwa 150 MHz, 28 Vdc: Nguvu ya pato = 45 W, ● Kupata nguvu = 17 dB (dakika) 'Ufanisi = 60% (min) ● Takwimu za kawaida za Maombi ya Amplifiers ya Umeme katika Viwanda, ● Vifaa vya Redio vya Kibiashara na Amateur: ● Utendaji wa kawaida kwa 30 MHz, 28 Vdc: Nguvu ya Pato = 30 W, Nguvu ● faida = 20 dB (Typ.) (PEP), Ufanisi = 50 % (typ.), IMD (d3) (30 W PEP) -32 dB (

undani

uliopita:FMUSER Asili Mpya ya MRF173 RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

next:MRFE6VP5300N RF POWER MOSFET TRANSISTOR

Bei (USD)	Uchina (PCS)	Meli (USD)	Jumla (USD)	meli Method	Malipo
56	1	0	56	airmail
				airmail

FMUSER Asili Mpya MRF171A RF Power Transistor Nguvu MOSFET Transistor

Maelezo

Iliyoundwa hasa kwa pato kubwa la ishara kubwa na dereva hatua kutoka 30-200 MHz.

Vipengele

●Njia ya Uboreshaji wa N-Channel MOSFET
●Utulivu bora wa joto unaofaa kwa Cass Operesheni
●Utendaji uliohakikishiwa kwa 150 MHz, 28 Vdc: Nguvu ya pato = 45 W,
●Faida ya nguvu = 17 dB (dakika) 'Ufanisi = 60% (dakika)
●Takwimu za kawaida za Maombi ya Amplifiers ya Umeme katika Viwanda,

●Vifaa vya redio vya Biashara na Amateur:

●Utendaji wa kawaida kwa 30 MHz, 28 Vdc: Nguvu ya Pato = 30 W, Nguvu

●faida = 20 dB (Typ.) (PEP), Ufanisi = 50% (typ.), IMD (d3) (30 W PEP) -32 dB (Aina.)
●Chuma cha Juu cha Dhahabu
●Crss ya chini - 8 pF @ VDS = 28 V
●100% Ilijaribiwa kwa Mismatch ya Mzigo kwa Angle za Awamu zote na 30: 1 VSWR
●Inasaidia Udhibiti wa Kupata Mwongozo, ALC na Mbinu za Kubadilisha Moduli